英諾賽科于2015年12月成立，是一家專業從事新型第三代半導體材料、器件以及集成電路開發與制造的高科技公司，在全球首次實現了8英寸硅基氮化鎵材料與器件的大規模量產。現有員工1200多人，在珠海設有研發中心及生產基地，在蘇州設有管理中心及大規模生產基地，在深圳設有應用研發中心，在南京、成都、上海、北京、臺灣、日本、美國等國家及地區設有辦事機構或代表處。
英諾賽科掌握8英寸硅基氮化鎵材料、器件及集成電路設計、制造全產業鏈核心技術，匯聚各國半導體產業精英人才，共同打造功率與射頻半導體國際一流品牌，并與多家國際技術研發機構開放合作，形成半導體產業跨國創新聯盟。
英諾賽科采用IDM (Integrated Device Manufacturer) 全產業鏈模式，致力于打造一個集研發、設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析為一體的第三代半導體生產平臺。產品涵蓋高低壓功率半導體器件、IC及射頻器件，是目前全球唯一能夠同時量產低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的企業。公司產品具有小尺寸、高性能、低成本、高可靠性等優勢，全面助力新能源汽車、5G通信、人工智能、無線充電與快充、數據中心及激光雷達等行業高效、節能、綠色發展。
英諾賽科作為中國“芯”動力，將以融匯全球高端智力資源，研發頂尖半導體應用產品的決心，秉承“創新引領時代，同心筑夢中國，用’芯’點亮未來”的使命，蓄勢待發，為國家第三代半導體騰飛做出貢獻。